Diodes Incorporated MMBTA56-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-100mA

频率

50MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

MMBTA56

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

转换频率

50MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-4V

连续集电极电流

-500mA

高度

1mm

长度

3.05mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅