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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.490668
10
¥3.293086
100
¥3.10668
500
¥2.930829
1000
¥2.764934
Diodes Incorporated MMSTA06-7
- 收藏
- 对比
MMSTA06-7
671-MMSTA06-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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Bipolar Transistors - BJT 80V 200mW
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMSTA06-7详情
Diodes Incorporated MMSTA06-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SC-70, SOT-323
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
100
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
1
已出版
2007
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
unknown
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
MMSTA06
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
连续集电极电流
500mA
长度
2.2mm
高度
1mm
宽度
1.35mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
达到SVHC
无SVHC
无铅
含铅
MMSTA06-7拓展信息
Diodes Incorporated
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