Diodes Incorporated ZTX558STOB
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ZTX558STOB
671-ZTX558STOB
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
E-Line-3, Formed Leads
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Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
1最小包装量--
ZTX558STOB详情
Diodes Incorporated ZTX558STOB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
E-Line-3, Formed Leads
引脚数
3
质量
453.59237mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Current-Collector (Ic) (Max)
200mA
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
50MHz
Power Dissipation (Max)
1W
操作温度
-55°C~200°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
-400V
Reach合规守则
unknown
额定电流
-200mA
基本部件号
ZTX558
元素配置
Single
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 50mA 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 6mA, 50mA
集电极基极电压(VCBO)
-400V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
连续集电极电流
-200mA
高度
4.01mm
长度
4.77mm
宽度
2.41mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ZTX558STOB拓展信息
Diodes Incorporated
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