Diodes Incorporated ZTX712STZ

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3, Formed Leads

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Power Dissipation (Max)

1W

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZTX712

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.25V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.25V @ 8mA, 800mA

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅