Diodes Incorporated ZTX755

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

30MHz

Power Dissipation (Max)

1W

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-150V

终端形式

WIRE

额定电流

-1A

基本部件号

ZTX755

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

元素配置

Single

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 1A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

-150V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-1A

高度

4.01mm

长度

4.77mm

宽度

2.41mm

RoHS状态

符合RoHS标准