Diodes Incorporated ZTX776

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-200V

最大功率耗散

1W

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

额定电流

-1A

基本部件号

ZTX776

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1W

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 1A

最高频率

30MHz

转换频率

30MHz

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1A

RoHS状态

符合RoHS标准