Diodes Incorporated ZTX849STOA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3, Formed Leads

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Power Dissipation (Max)

1.2W

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

30V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZTX849

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

220mV

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1A 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

220mV @ 200mA, 5A

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

5A

高度

4.01mm

长度

4.77mm

宽度

2.41mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅