Diodes Incorporated ZX3CD3S1M832TA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

引脚数

832

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

190MHz

Power Dissipation (Max)

3W

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

QUAD

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZX3CD3S1M832

JESD-30代码

R-PQFP-F10

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

3W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP + Diode (Isolated)

集电极发射器电压(VCEO)

370mV

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 1.5A 2V

最大集极截止电流

25nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

370mV @ 250mA, 2.5A

转换频率

190MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

-7.5V

高度

1mm

长度

3mm

宽度

2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅