Diodes Incorporated ZXMS6002GTA
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ZXMS6002GTA
671-ZXMS6002GTA
PMIC - 配电开关,负载驱动器
TO-261-4, TO-261AA
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IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223
--最小包装量--
ZXMS6002GTA详情
Diodes Incorporated ZXMS6002GTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
INTELLIFET®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
500mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
最大功率耗散
2.5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXMS6002
引脚数量
4
输出的数量
1
输出类型
N-Channel
最大输出电流
1.6A
界面
On/Off
输出配置
低侧
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
输出电流
700mA
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
不需要
箱体转运
DRAIN
输入类型
Non-Inverting
开关类型
通用型
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
1.6A
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
1V
电压-负荷
60V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
雪崩能量等级(Eas)
550 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
385m Ω
漏源电阻
385mOhm
特征
自动重启
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMS6002GTA拓展信息
Diodes Incorporated
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