Diodes Incorporated ZXMS6005DGTA
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ZXMS6005DGTA
671-ZXMS6005DGTA
PMIC - 配电开关,负载驱动器
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET, N CH, W ESD, 60V, 2A, SOT223
--最小包装量--
ZXMS6005DGTA详情
Diodes Incorporated ZXMS6005DGTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
34 μs
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, INTELLIFET®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
150mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
最大功率耗散
3W
电压 - 供电
3.3V 5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
输出的数量
1
输出类型
N-Channel
最大输出电流
2A
界面
On/Off
元素配置
Single
输出配置
低侧
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.3W
箱体转运
DRAIN
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
6 μs
开关类型
通用型
晶体管应用
SWITCHING
每个通道的输出电流
2A
上升时间
14μs
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
19 μs
连续放电电流(ID)
1.6A
阈值电压
700mV
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
5V
电压-负荷
60V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
150m Ω
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
150mOhm
栅源电压
1 V
环境温度范围高
125°C
特征
自动重启
高度
1.8mm
长度
6.55mm
宽度
3.55mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ZXMS6005DGTA拓展信息
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