Diodes Incorporated ZXT10P12DE6TC
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ZXT10P12DE6TC
671-ZXT10P12DE6TC
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-6
大陆
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Bipolar Transistors - BJT 12V PNP SuperSOT4
1最小包装量--
ZXT10P12DE6TC详情
Diodes Incorporated ZXT10P12DE6TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
ZXT10P12D
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1.1W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 50mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
转换频率
110MHz
频率转换
110MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ZXT10P12DE6TC拓展信息
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