Diodes Incorporated ZXT11N20DFTC
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ZXT11N20DFTC
671-ZXT11N20DFTC
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4
1最小包装量--
ZXT11N20DFTC详情
Diodes Incorporated ZXT11N20DFTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
2.5A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
基本部件号
ZXT11N20D
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
625mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
130mV @ 250mA, 2.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
20V
转换频率
160MHz
频率转换
160MHz
最大耗散功率(Abs)
0.806W
RoHS状态
符合RoHS标准
ZXT11N20DFTC拓展信息
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