Diodes Incorporated ZXTBM322TA
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ZXTBM322TA
671-ZXTBM322TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-PowerSMD, Flat Leads
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Bipolar Transistors - BJT 20V PNP 2x2 MLP
--最小包装量--
ZXTBM322TA详情
Diodes Incorporated ZXTBM322TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-PowerSMD, Flat Leads
引脚数
322
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
210mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
3W
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
4.5A
频率
140MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZXTBM322
引脚数量
5
JESD-30代码
S-PQFP-F3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
3W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
140MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
4.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2A 2V
最大集极截止电流
25nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
270mV @ 125mA, 4.5A
转换频率
140MHz
最大击穿电压
20V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
7.5V
高度
1mm
长度
2mm
宽度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTBM322TA拓展信息
Diodes Incorporated
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