Diodes Incorporated ZXTBM322TA

包装/外壳

3-PowerSMD, Flat Leads

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

140MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

210mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

端子位置

QUAD

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4.5A

频率

140MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTBM322

JESD-30代码

S-PQFP-F3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

3W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

4.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2A 2V

最大集极截止电流

25nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

270mV @ 125mA, 4.5A

转换频率

140MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

7.5V

宽度

2mm

长度

2mm

高度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅