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Diodes Incorporated ZXTP2008GTC

Name: ZXTP2008GTC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 671-ZXTP2008GTC
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

ZXTP2008GTC

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-ZXTP2008GTC

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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ZXTP2008GTC Diodes Incorporated Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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ZXTP2008GTC详情

技术参数

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Diodes Incorporated ZXTP2008GTC重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
引脚数

4
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

DIODES INC
Part Package Code

TO-261AA
Package Description

SOT-223, 4 PIN
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
Transition Frequency-Nom (fT)

110 MHz
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PDSO-G4
资历状况

不合格
配置

SINGLE
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

PNP
JEDEC-95代码

TO-261AA
集电极电流-最大值(IC)

5.5 A
最小直流增益（hFE）

10
集电极-发射器电压-最大值

30 V

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ZXTP2008GTC拓展信息

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