Diodes Incorporated ZXTP2012ASTOA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-210mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

1W

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXTP2012A

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

120MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1A 1V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

210mV @ 400mA, 4A

最高频率

120MHz

转换频率

120MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

4.01mm

长度

4.77mm

宽度

2.41mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅