Diodes Incorporated ZXTS1000E6TC
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ZXTS1000E6TC
671-ZXTS1000E6TC
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-6
大陆
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TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
1最小包装量--
ZXTS1000E6TC详情
Diodes Incorporated ZXTS1000E6TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
1.25A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
基本部件号
ZXTS1000
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
功率 - 最大
885mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP + Diode (Isolated)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
10nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
240mV @ 100mA, 1.25A
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
转换频率
220MHz
频率转换
220MHz
最大耗散功率(Abs)
0.885W
RoHS状态
符合RoHS标准
ZXTS1000E6TC拓展信息
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