59C11I/J详情
Emerson 59C11I/J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
通孔
表面安装
NO
终端数量
8
RoHS
Compliant
Package Description
0.300 INCH, CERDIP-8
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
128
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Equivalence Code
DIP8,.3
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
59C11I/J
Clock Frequency-Max (fCLK)
1 MHz
Number of Words
128 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microchip Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.74
Part Package Code
DIP
包装
Tape & Reel (TR)
容差
0.1 %
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
50 ppm/°C
电阻
76.8 kΩ
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Metal Film
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
EEPROMs
最大功率耗散
500 mW
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-GDIP-T8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.004 mA
组织结构
128X8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
1024 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
4-WIRE
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
1 ms
数据保持时间
40
写入保护
SOFTWARE
备用内存宽度
16
特征
阻燃涂层
宽度
2.29 mm
长度
7.0612 mm
直径
2.29 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
59C11I/J拓展信息








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