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技术文档
型号
EPC2050ENGRT
品牌
EPC
utmel 编号
791-EPC2050ENGRT
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
Die
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANS GAN 350V BUMPED DIE
起订量
1最小包装量--
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EPC2050ENGRT详情
技术参数
EPC EPC2050ENGRT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
Die Outline (12-Solder Bar)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Power Dissipation (Max)
--
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
eGaN®
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
65 mOhm @ 6A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
505pF @ 280V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.3nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
350V
Vgs(最大值)
+6V, -4V
场效应管特性
EPC2050ENGRT拓展信息
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公司资质
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