SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0详情
Epson SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
供应商器件包装
DIRECTFET™ MX
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
27A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
International Rectifier
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Product Status
活跃
Base Product Number
SG-8101
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
HEXFET®
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
类型
XO (Standard)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
16.2 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
3.5mA
扩频带宽
-
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5mOhm @ 27A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 100µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4404 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
绝对牵引范围 (APR)
-
场效应管特性
-
座位高度(最大)
0.051 (1.30mm)
评级结果
-
SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0拓展信息
Seiko Epson
Epson
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