SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0
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Epson SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0

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型号

SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0

品牌

Epson

utmel 编号

793-SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0

商品类别

振荡器

封装

DirectFET™ Isometric MX

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0: OSC M

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SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0详情

Epson SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DirectFET™ Isometric MX

  • 供应商器件包装

    DIRECTFET™ MX

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    27A (Ta), 150A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • 厂商

    International Rectifier

  • Power Dissipation (Max)

    2.8W (Ta), 89W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Base Product Number

    SG-8101

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    HEXFET®

  • 尺寸/尺寸

    0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

  • 类型

    XO (Standard)

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 电压 - 供电

    1.8V ~ 3.3V

  • 频率

    16.2 MHz

  • 频率稳定性

    ±15ppm

  • 输出量

    CMOS

  • 功能

    Enable/Disable

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    6.8mA (Typ)

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    3.5mA

  • 扩频带宽

    -

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.5mOhm @ 27A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.35V @ 100µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4404 pF @ 15 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    42 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 场效应管特性

    -

  • 座位高度(最大)

    0.051 (1.30mm)

  • 评级结果

    -

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SG-8101CB 16.2000M-TBGPA0拓展信息

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