E-T-A 12P10G-AA3-R

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

12P10G-AA3-R

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Risk Rank

5.62

Drain Current-Max (ID)

9.4 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.29 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

37.6 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

8 W