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EM6A9160TSA-4G

EM6A9160TSA-4G

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Etron Technology EM6A9160TSA-4G

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对比

型号

EM6A9160TSA-4G

品牌

Etron Technology

utmel 编号

812-EM6A9160TSA-4G

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.65 MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP2-66

起订量

1最小包装量--

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EM6A9160TSA-4G

EM6A9160TSA-4G Etron Technology DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.65 MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP2-66

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EM6A9160TSA-4G详情

技术参数

Etron Technology EM6A9160TSA-4G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

66
Package Description

TSOP2,
Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code

8000000
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max

0.6 ns
Operating Temperature-Max

70 °C
Manufacturer Part Number

EM6A9160TSA-4G
Number of Words

8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V
Package Code

TSOP2
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Etron Technology Inc
Part Life Cycle Code

接触制造商
Ihs Manufacturer

ETRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank

5.68
附加功能

AUTO/SELF REFRESH
技术

CMOS
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
功能数量

1
端子间距

0.65 mm
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PDSO-G66
电源电压-最大值(Vsup)

2.625 V
温度等级

COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)

2.375 V
端口的数量

1
操作模式

SYNCHRONOUS
组织结构

8MX16
座位高度-最大

1.2 mm
内存宽度

16
记忆密度

134217728 bit
内存IC类型

DDR DRAM
访问模式

四库页面突发
自我刷新

YES
宽度

10.16 mm
长度

22.22 mm

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