Eupec Gmbh & Co Kg BSM150GB60DN2
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BSM150GB60DN2
1213-BSM150GB60DN2
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE
1最小包装量--
BSM150GB60DN2详情
Eupec Gmbh & Co Kg BSM150GB60DN2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
EUPEC GMBH & CO KG
Package Description
MODULE
Number of Elements
2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UNSPECIFIED
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PXFM-X
资历状况
不合格
配置
SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
150 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
BSM150GB60DN2拓展信息
Eupec Gmbh & Co Kg
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Infineon Eupec
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