FD600R17KF6B2
FD600R17KF6B2

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Eupec Gmbh & Co Kg FD600R17KF6B2

  • 收藏
  • 对比

型号

FD600R17KF6B2

utmel 编号

1213-FD600R17KF6B2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
FD600R17KF6B2
FD600R17KF6B2 Eupec Gmbh & Co Kg Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

FD600R17KF6B2详情

Eupec Gmbh & Co Kg FD600R17KF6B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    10

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    300 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    1100 ns

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Number of Elements

    1

  • Ihs Manufacturer

    EUPEC GMBH & CO KG

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X10

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    4800 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    1200 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1700 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3.1 V

0个相似型号

技术文档: Eupec Gmbh & Co Kg FD600R17KF6B2.

FD600R17KF6B2拓展信息

BSM150GB60DN2
BSM150GB60DN2

Eupec Gmbh & Co Kg

BSM35GD120D2
BSM35GD120D2

Eupec Gmbh & Co Kg

BSM35GD120DL
BSM35GD120DL

Eupec Gmbh & Co Kg

FZ200R12KF2
FZ200R12KF2

Eupec Gmbh & Co Kg

FF400R06KL2
FF400R06KL2

Eupec Gmbh & Co Kg

FZ300R12KF2
FZ300R12KF2

Eupec Gmbh & Co Kg

FF100R12KF2
FF100R12KF2

Eupec Gmbh & Co Kg

FF75R06KF3
FF75R06KF3

Eupec Gmbh & Co Kg

FS25R12KE3G
FS25R12KE3G

Infineon Eupec

BSM50GD170DL
BSM50GD170DL

Infineon Eupec

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z