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'fds8670_nl'

3结果

category.单MOSFET晶体管 (3)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

终端

端子表面处理

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

双电源电压

DS 击穿电压-最小值

场效应管特性

栅源电压

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FDS8670

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

YES

8

SILICON

21A Ta

4.5V 10V

1

2.5W Ta

3V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

PowerTrench®

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

8

哑光锡

DUAL

鸥翼

260

未说明

R-PDSO-G8

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

N-Channel

SWITCHING

3.7m Ω @ 21A, 10V

4.04pF @ 15V

82nC @ 10V

30V

±20V

21A

0.0037Ohm

105A

30V

ROHS3 Compliant

FDS8670

ON Semiconductor

79999 In Stock

1: ¥10.196864
10: ¥9.619680
100: ¥9.075170
500: ¥8.561479

查看所有的价格

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

230.4mg

21A Ta

4.5V 10V

1

2.5W Ta

56 ns

3V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2005

PowerTrench®

Obsolete

1 (Unlimited)

SMD/SMT

未说明

未说明

Single

2.5W

N-Channel

3.7m Ω @ 21A, 10V

4040pF @ 15V

82nC @ 10V

11ns

±20V

68 ns

21A

20V

30V

30V

1.4 V

无SVHC

符合RoHS标准

无铅

FDS8670

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8-SOIC

Bulk

21A (Ta)

Fairchild Semiconductor

4.5V, 10V

2.5W (Ta)

Obsolete

3V @ 250µA

-55°C ~ 150°C (TJ)

PowerTrench®

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

3.7mOhm @ 21A, 10V

4040 pF @ 15 V

82 nC @ 10 V

30 V

±20V

-