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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.301379
10
¥9.718285
100
¥9.168191
500
¥8.649241
1000
¥8.159654
ON Semiconductor FDS8670
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- 对比
FDS8670
1807-FDS8670
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
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FDS8670详情
ON Semiconductor FDS8670重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
230.4mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Turn Off Delay Time
56 ns
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Number of Elements
1
已出版
2005
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.7m Ω @ 21A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4040pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
82nC @ 10V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
68 ns
连续放电电流(ID)
21A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
栅源电压
1.4 V
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
FDS8670拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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