2N5830D26Z
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Fairchild 2N5830D26Z

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型号

2N5830D26Z

品牌

Fairchild

utmel 编号

836-2N5830D26Z

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2N5830D26Z datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Fairchild stock available at utmel

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2N5830D26Z详情

Fairchild 2N5830D26Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 外壳材料

    铝合金

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Shell Sizes

    36

  • MIL Type

    MIL-DTL-26482 II

  • Mating Style

    可旋转联轴器

  • Manufacturer

    Amphenol

  • Brand

    Amphenol Pcd

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N5830D26Z

  • Package Shape

    ROUND

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.18

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    Circular Connectors

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-PBCY-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    圆形MIL规格后壳

  • JEDEC-95代码

    TO-92

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.625 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    80

  • 外壳电镀

    锌钴

  • 集电极-发射器电压-最大值

    100 V

  • 产品

    Non-Environmental EMI/RFI Backshells

  • 安装角

    Straight

  • 产品类别

    圆形MIL规格后壳

0个相似型号

2N5830D26Z拓展信息

FJP5555ATU
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MJD117TF-FS
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HGT1S14N41G3VLT
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