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技术文档
型号
EFC4C002NLTDG
品牌
Fairchild
utmel 编号
836-EFC4C002NLTDG
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
8-XFBGA, WLCSP
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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EFC4C002NLTDG详情
技术参数
Fairchild EFC4C002NLTDG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
8-WLCSP (6x2.5)
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
-
厂商
Fairchild Semiconductor
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
功率 - 最大
2.6W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6200pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
场效应管特性
逻辑电平门
EFC4C002NLTDG拓展信息
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公司资质
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型号:FDG6313N
封装:--
品牌:Fairchild
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