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技术文档
型号
FDB7030L_NL
品牌
Fairchild
utmel 编号
836-FDB7030L_NL
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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FDB7030L_NL详情
技术参数
Fairchild FDB7030L_NL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TO-263AB, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.32
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
80 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
颜色
Yellow
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
导线/电缆种类
双拉链
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
导线/电缆直径
1.8 mm
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.007 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
114 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
插入损耗(dB)
0.35 dB
模式
Singlemode
导线/电缆颜色
回报损失
45 dB
长度
30 m
FDB7030L_NL拓展信息
公司资质
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