FDD5612
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Fairchild FDD5612

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型号

FDD5612

品牌

Fairchild

utmel 编号

836-FDD5612

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

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FDD5612 Fairchild POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

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FDD5612详情

Fairchild FDD5612重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    TO-252, (D-Pak)

  • Package

    零售包装

  • 厂商

    Glenair

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.4A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    6V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    3.8W (Ta), 42W (Tc)

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    3V @ 250µA

  • 系列

    *

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    55mOhm @ 5.4A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    660 pF @ 30 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    11 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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FDD5612拓展信息

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