FDFS2P102
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Fairchild FDFS2P102

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型号

FDFS2P102

品牌

Fairchild

utmel 编号

836-FDFS2P102

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

1152-BBGA, FCBGA Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC

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FDFS2P102 Fairchild MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC

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FDFS2P102详情

Fairchild FDFS2P102重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    1152-BBGA, FCBGA Exposed Pad

  • 供应商器件包装

    1152-FBGA (35x35)

  • Number of I/Os

    544

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2V @ 250µA

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.3A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • 厂商

    Fairchild Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    900mW (Ta)

  • Product Status

    Obsolete

  • 操作温度

    -40°C ~ 100°C (TJ)

  • 系列

    Arria V GX

  • 零件状态

    活跃

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 电压 - 供电

    1.07 V ~ 1.13 V

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    125mOhm @ 3.3A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    270 pF @ 10 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 逻辑元件/单元数

    300000

  • 总 RAM 位数

    17358848

  • LABs数量/ CLBs数量

    14151

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

0个相似型号

FDFS2P102拓展信息

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