Fairchild NDB610A

安装类型

通孔

表面安装

YES

房屋材料

Polyphenylene Sulfide (PPS)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

位置或引脚数量(网格)

--

触点材料 - 配套

铍铜

触点材料 - 柱子

铍铜

Contact Finish Mating

Gold

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NDB610A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.73

Drain Current-Max (ID)

26 A

操作温度

-65°C ~ 125°C

系列

PRS

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

类型

PGA, ZIF (ZIP)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

1A

间距 - 配套

0.100 (2.54mm)

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

触点表面处理 - 柱子

Tin

触点电阻

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

26 A

漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

104 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

端子柱长度

0.125 (3.18mm)

间距--柱子

0.100 (2.54mm)

最大耗散功率(Abs)

100 W

特征

封闭框架

触点表面处理厚度 - 配套

30.0µin (0.76µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

200.0µin (5.08µm)

材料可燃性等级

UL94 V-0