Fairchild (ON Semiconductor) 2N7002D87Z

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N7002D87Z

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

5

Drain Current-Max (ID)

0.115 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Package

Bulk

Base Product Number

2N7002

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

115mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

200mW (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.115 A

漏极-源极导通最大电阻

7.5 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF