Fairchild (ON Semiconductor) BST82T/R

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BST82T/R

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

5.06

Drain Current-Max (ID)

0.175 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

10 Ω

DS 击穿电压-最小值

80 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF