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'fdfma2p853_nl'

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category.单MOSFET晶体管 (5)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	质量	晶体管元件材料				厂商						操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	场效应管特性	高度	长度	宽度	辐射硬化	RoHS状态	无铅
		FDFMA2P853	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	6-VDFN Exposed Pad			6-MicroFET (2x2)			Bulk	3A (Ta)	1.8V, 4.5V	Fairchild Semiconductor	1.4W (Ta)	活跃				-55°C ~ 150°C (TJ)			PowerTrench®									MOSFET (Metal Oxide)														P-Channel		120mOhm @ 3A, 4.5V	1.3V @ 250µA	435 pF @ 10 V	6 nC @ 4.5 V		20 V	±8V										Schottky Diode (Isolated)
		FDFMA2P853	ON Semiconductor	数据表	2900 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		16 Weeks	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	表面贴装	表面贴装	6-VDFN Exposed Pad	6	40mg	SILICON	2V	3A Ta	1.8V 4.5V		1	1.4W Ta	15 ns			-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e4	yes	活跃	1 (Unlimited)	6	EAR99	120MOhm	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)		DUAL								Single	增强型MOSFET	1.4W	DRAIN	9 ns	P-Channel	SWITCHING	120m Ω @ 3A, 4.5V	1.3V @ 250μA	435pF @ 10V	6nC @ 4.5V	11ns		±8V	11 ns	3A	MO-229VCCC	8V	2.2A		20V			Schottky Diode (Isolated)	750μm	2mm	2mm	无	ROHS3 Compliant	无铅
		FDFMA2P853T	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	6-UDFN Exposed Pad	YES			SILICON	3A Ta	1.8V 4.5V	1		1.4W Ta					-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e4	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	6			镍钯金		DUAL	C 弯管	260	30	6	S-PDSO-C6	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET				P-Channel	SWITCHING	120m Ω @ 3A, 4.5V	1.3V @ 250μA	435pF @ 10V	6nC @ 4.5V		20V	±8V						0.12Ohm		6A	20V	Schottky Diode (Isolated)					ROHS3 Compliant
		FDFMA2P853T	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	6-VDFN Exposed Pad			6-MicroFET (2x2)			Bulk	3A (Ta)	1.8V, 4.5V	Fairchild Semiconductor	1.4W (Ta)	Obsolete				-55°C ~ 150°C (TJ)			PowerTrench®									MOSFET (Metal Oxide)														P-Channel		120mOhm @ 3A, 4.5V	1.3V @ 250µA	435 pF @ 10 V	6 nC @ 4.5 V		20 V	±8V										Schottky Diode (Isolated)
		FDFMA2P853T	ON Semiconductor	数据表	6296 In Stock	1: ¥4.017473 10: ¥3.790068 100: ¥3.575538 500: ¥3.373149 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	6-UDFN Exposed Pad	6				3A Ta	1.8V 4.5V	1		1.4W Ta	15 ns				-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2007	PowerTrench®			Obsolete	1 (Unlimited)														Single		1.4W		9 ns	P-Channel		120m Ω @ 3A, 4.5V	1.3V @ 250μA	435pF @ 10V	6nC @ 4.5V	11ns		±8V	11 ns	3A		8V			20V			Schottky Diode (Isolated)				无	符合RoHS标准