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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.017473
10
¥3.790068
100
¥3.575538
500
¥3.373149
1000
¥3.182221
ON Semiconductor FDFMA2P853T
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- 对比
FDFMA2P853T
1807-FDFMA2P853T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDFMA2P853T详情
ON Semiconductor FDFMA2P853T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.4W Ta
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
元素配置
Single
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
435pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
FDFMA2P853T拓展信息
ON Semiconductor
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