对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | Drain Source Voltage (Vdss) | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 类型 | 端子表面处理 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | Continuous Drain Current (Id) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 场效应管特性 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||
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FDS8962C-NL-VB | VBsemi Elec | 数据表 | 48000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | true | 18mΩ@10V;40mΩ@10V | 30V | Tape & Reel (TR) | 1 N-Channel + 1 P-Channel | 8A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS8962C | Fairchild | 数据表 | 89999 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Bulk | Fairchild Semiconductor | 7A, 5A | Obsolete | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerTrench® | 900mW | N and P-Channel | 30mOhm @ 7A, 10V | 3V @ 250µA | 575pF @ 15V | 26nC @ 10V | 30V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS8962C | ON Semiconductor | 数据表 | 3000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 187mg | 7A 5A | 2 | 14 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2002 | PowerTrench® | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 900mW | 7A | 2W | N and P-Channel | 30m Ω @ 7A, 10V | 3V @ 250μA | 575pF @ 15V | 26nC @ 10V | 13ns | 9 ns | 5A | 20V | 30V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8962C | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | SILICON | 7A 5A | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench® | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | 哑光锡 | DUAL | 鸥翼 | 260 | 30 | 8 | R-PDSO-G8 | COMMERCIAL | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 900mW | N and P-Channel | SWITCHING | 30m Ω @ 7A, 10V | 3V @ 250μA | 575pF @ 15V | 26nC @ 10V | 30V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 7A | 0.03Ohm | 20A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant |



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