FDS8962C
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ON Semiconductor FDS8962C

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型号

FDS8962C

utmel 编号

1807-FDS8962C

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

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FDS8962C
FDS8962C ON Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

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FDS8962C详情

ON Semiconductor FDS8962C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    187mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    7A 5A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    14 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2002

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    900mW

  • 额定电流

    7A

  • 功率耗散

    2W

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    30m Ω @ 7A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    575pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    26nC @ 10V

  • 上升时间

    13ns

  • 下降时间(典型值)

    9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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