ON Semiconductor FDS8962C
- 收藏
- 对比
FDS8962C
1807-FDS8962C
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
--最小包装量--
FDS8962C详情
ON Semiconductor FDS8962C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A 5A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
900mW
额定电流
7A
功率耗散
2W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
13ns
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS8962C拓展信息









哦! 它是空的。