Fairchild (ON Semiconductor) IRFM214A

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRFM214A

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Package Code

TO-261AA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Risk Rank

5.84

Drain Current-Max (ID)

0.64 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-261AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.64 A

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

雪崩能量等级（Eas）

51 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.1 W