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'nds8839h_nl'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

表面安装

终端数量

晶体管元件材料

Fall Time

JESD-609代码

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

子类别

端子位置

终端形式

Reach合规守则

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

功率耗散

晶体管应用

上升时间

极性/通道类型

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

DS 击穿电压-最小值

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

漏源电阻

环境耗散-最大值

NDS8839H

Fairchild Semiconductor

20000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

8

SILICON

Non-Compliant

40 ns

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

小概要

PLASTIC/EPOXY

150 °C

无

NDS8839H

RECTANGULAR

Texas

2

Transferred

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

5.38

5.7 A

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

150 °C

-55 °C

FET 通用电源

DUAL

鸥翼

unknown

R-PDSO-G8

不合格

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

2.5 W

SWITCHING

20 ns

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

-4 A

20 V

5.7 A

0.045 Ω

30 V

30 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

2.5 W

45 mΩ

2 W

NDS8839H

Fairchild Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

19 ns

40 ns

Non-Compliant

150 °C

-55 °C

2.5 W

20 ns

-4 A

20 V

30 V

45 mΩ