Fairchild Semiconductor 2N5485_D26Z

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

质量

200.998119 mg

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

25 V

Voltage Rating (DC)

25 V

RoHS

Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2N5485D26Z

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.21

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

350 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

额定电流

10 mA

频率

400 MHz

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

350 mW

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

25 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10 mA

JEDEC-95代码

TO-92

栅极至源极电压(Vgs)

-25 V

输入电容

5 pF

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.31 W

噪声图

4 dB

反馈上限-最大值 (Crss)

1 pF

最高频段

超高频段

测试电压

15 V

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

长度

5.2 mm

无铅

无铅