Fairchild Semiconductor BC212_J35Z

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

50

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

Bulk

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

625 mW

极性

PNP

功率耗散

625 mW

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

300 mA

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

辐射硬化

无