Fairchild Semiconductor BCV27_D87Z

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

hFEMin

4000

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

30 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

220 MHz

Manufacturer Part Number

BCV27D87Z

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.66

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

350 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

额定电流

1.2 A

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

DARLINGTON

元素配置

Single

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

1.2 A

转换频率

220 MHz

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

发射极基极电压 (VEBO)

10 V

集电极电流-最大值(IC)

1.2 A

最小直流增益（hFE）

20000

集电极-发射器电压-最大值

30 V

无铅

无铅