Fairchild Semiconductor FDB8444TS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

供应商器件包装

TO-263-5

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Ta), 70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

181W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

PowerTrench®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5mOhm @ 70A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8410 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

338 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-