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Fairchild Semiconductor FDM606P

Name: FDM606P
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDM606P
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDM606P

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDM606P

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICROFET-10

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FDM606P Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICROFET-10

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FDM606P详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDM606P重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
供应商器件包装

8-MLP, MicroFET (3x2)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

1.92W (Ta)
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 6.8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2200 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)

20 V
Vgs（最大值）

±8V
场效应管特性

-

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