Fairchild Semiconductor FDM606P

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

供应商器件包装

8-MLP, MicroFET (3x2)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

1.92W (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

PowerTrench®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 6.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2200 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

-