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Fairchild Semiconductor FDS2170N7

Name: FDS2170N7
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDS2170N7
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDS2170N7

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDS2170N7

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FLMP, SO-8

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FDS2170N7 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FLMP, SO-8

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FDS2170N7详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDS2170N7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装

8-SO
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

3W (Ta)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

128mOhm @ 3A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1292 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

200 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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