Fairchild Semiconductor FDS2170N7

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

3W (Ta)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

PowerTrench®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

128mOhm @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1292 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-