对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 双电源电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 栅源电压 | 环境耗散-最大值 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | FDS6612A_NL | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | SILICON | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | SOT | SO-8 | 5.37 | 8.4 A | 1 | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | FDS6612A_NL | 有 | Obsolete | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 逻辑电平兼容 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | N-CHANNEL | 8.2 A | 0.022 Ω | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2.5 W | 1 W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6612A | Rochester Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 | 30 V | 8.4 A | 2.5 W | 30 V | 8.4 A | 30 V | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6612A | ON Semiconductor | 数据表 | 3713 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 130mg | SILICON | 8.4A Ta | 22 ns | 4.5V 10V | 1 | 2.5W Ta | 3V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench® | e4 | yes | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | 22MOhm | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 逻辑电平兼容 | 30V | DUAL | 鸥翼 | 8.4A | Single | 增强型MOSFET | 2.5W | 7 ns | N-Channel | SWITCHING | 22m Ω @ 8.4A, 10V | 560pF @ 15V | 7.6nC @ 5V | 5ns | ±20V | 3 ns | 8.4A | 1.9V | 20V | 30V | 30V | 1.9 V | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6612A | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | EAR99 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6612A-VB | VBsemi Elec | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6612AD84Z | Fairchild (ON Semiconductor) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | SILICON | 8.4 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | FDS6612AD84Z | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | SOT | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 5.39 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | unknown | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.022 Ω | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6612A-NB5E029A | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | onsemi | 活跃 | 1W (Ta) | 4.5V, 10V | 8.4A (Ta) | 3V @ 250µA | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerTrench® | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 22mOhm @ 8.4A, 10V | 560 pF @ 15 V | 7.6 nC @ 5 V | 30 V | ±20V | - |
FDS6612A_NL
ON Semiconductor
分类:Integrated Circuits (ICs)
FDS6612A
Rochester Electronics
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
FDS6612A
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
FDS6612A
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
FDS6612A-VB
VBsemi Elec
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDS6612AD84Z
Fairchild (ON Semiconductor)
分类:Integrated Circuits (ICs)
FDS6612A-NB5E029A
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single


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