对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

终端数量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

终端

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

附加功能

电压 - 额定直流

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

双电源电压

DS 击穿电压-最小值

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

栅源电压

环境耗散-最大值

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FDS6612A_NL
FDS6612A_NL
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

8

SILICON

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

SOT

SO-8

5.37

8.4 A

1

1

150 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

小概要

未说明

FDS6612A_NL

有

Obsolete

e3

EAR99

Matte Tin (Sn)

逻辑电平兼容

DUAL

鸥翼

未说明

not_compliant

8

R-PDSO-G8

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

SWITCHING

N-CHANNEL

8.2 A

0.022 Ω

30 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

2.5 W

1 W

FDS6612A
FDS6612A
Rochester Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8

30 V

8.4 A

2.5 W

30 V

8.4 A

30 V

无铅

FDS6612A
FDS6612A
ON Semiconductor 数据表

3713 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

18 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

130mg

SILICON

8.4A Ta

22 ns

4.5V 10V

1

2.5W Ta

3V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

PowerTrench®

e4

yes

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

1 (Unlimited)

8

SMD/SMT

EAR99

22MOhm

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

逻辑电平兼容

30V

DUAL

鸥翼

8.4A

Single

增强型MOSFET

2.5W

7 ns

N-Channel

SWITCHING

22m Ω @ 8.4A, 10V

560pF @ 15V

7.6nC @ 5V

5ns

±20V

3 ns

8.4A

1.9V

20V

30V

30V

1.9 V

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

FDS6612A
FDS6612A
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

无

FDS6612A-VB
FDS6612A-VB
VBsemi Elec 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

FDS6612AD84Z
FDS6612AD84Z
Fairchild (ON Semiconductor) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

8

SILICON

8.4 A

1

150 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

小概要

FDS6612AD84Z

Obsolete

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

SOT

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

5.39

EAR99

DUAL

鸥翼

unknown

8

R-PDSO-G8

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

SWITCHING

N-CHANNEL

0.022 Ω

30 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FDS6612A-NB5E029A
FDS6612A-NB5E029A
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8-SOIC

onsemi

活跃

1W (Ta)

4.5V, 10V

8.4A (Ta)

3V @ 250µA

Tape & Reel (TR)

-55°C ~ 150°C (TJ)

PowerTrench®

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

22mOhm @ 8.4A, 10V

560 pF @ 15 V

7.6 nC @ 5 V

30 V

±20V

-