Fairchild Semiconductor FDS7766S

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FDS7766S

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.36

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

17 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

TIN

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5mOhm @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4785 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±16V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0055 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-